Микроэлектроника/Резисторы
Типы резисторов
[править]В полупроводниковых интегральных микросхемах используются следующие типы резисторов в зависимости от используемых слоёв:
- диффузионные
- поликремниевые
- эпитаксиальные
- пинч-резисторы.
Для формирования резисторов в биполярной технологии используются области, из которых формируется структура танзистора: базовая, эммитерная и коллекторная области.
В КМОП технологии для резисторов используют области стока и кармана.
Расчёт диффузионных резисторов
[править]Расчёт поликремниевых резисторов
[править]Расчёт кольцевых резисторов
[править]Сопротивление трехмерного проводника произвольной формы
[править]Сопротивление трехмерного проводника произвольной формы можно теоретически вычистить, используя следующую обобщенноу формулу для сопротивления, которая была получена Плонсеем и Колменом [8].
(5.37) |
где u1,u2 и u3 - ортогональные криволинейные координаты, как показано на рис. 1;
- h1, h2, h3 - масшатбные множители ((произведение метрических коэффициентов)1/2) [9], введенные так, что и так далее есть дифференциальные элементы длины.
Из этого выражения следует, что сопротивление проводника с постоянным удельным сопротивлением является функцией лишь его геометрии. Необходимо подчеркнуть, что в уравнении (5.37) криволинейная координата возрастает в направлении, параллельном линиям тока, и перпендикулярна эквипотенциальным поверхностям. Две другие ортогональные криволинейные координаты и на эквипотенциальной поверхности введены для того, чтобы учесть площадь поперечного сечения элементарной трубки тока [8]. Из определения следует, что в случае применения уравнения (5.37) необходимо знать линии тока, т. е. должен быть известен вектор плотности тока . Это в свою очередь предполагает решение уравнения Лапласа, поскольку вектор может быть получен, если известен градиент скалярного потенциала в проводнике. Решение уравнения Лапласа в простой замкнутой форме обычно можно получить лишь тогда, когда геометрия и границы достаточно элементарны, например являются круговыми или сферическими.
Для облегчения анализа применим, конечно, метод конформных отображений, очень полезный для преобразования сложных геометрических форм в простые. Например, рассмотрим случай, когда желательно найти сопротивление многогранной пластины, у которой контактами служат две или большее число ее граней. Задача может быть решена вычерчиванием многогранника в реальных осях и затем отображением реальных осей в прямоугольные [10]. Однако редко случается, когда решение такого типа оказывается сравнительно простым.
Для иллюстрации применения уравнения (5.37) рассмотрим проводящую пластину, имеющую цилиндрическую геометрию (рис. 5.10). Поскольку ток течет радиально, очевидно, что , , , тогда как и . Повсюду в этом разделе мы считаем, что удельное сопротивление материала постоянно; следовательно, уравнение (5.37) принимает вид
(5.38) |
где — поверхностное сопротивление слоя.
Поскольку проводящая пластина имеет цилиндрическую геометрию (рис. 5.10), уравнение (5.37) можно легко решить и тем самым определить сопротивление.
Сопротивление круглого резистора
[править]С целью уменьшения разброса резисторов вследствие изменения их линейных размеров резисторы можно выполнять круглой формой, как показано на рисунке 1. Величина сопротивления кольцевого резистора может быть вычислена с помощью выражения:
(1) |
где - поверхностное сопротивление, Ом/;
- - радиус внутреннего контакта;
- - радиус внешнего контакта;
Для резисторов круговой формы имеет место логарифмическая зависимость сопротивления от размеров в отличие от линейной зависимости для резисторов прямоугольной формы.
Эквивалентная ширина (W) и длина (L) резистора равна:
отсюда эквивалентный радиус rW равен:
Пример расчёта
[править]Проведём проверку выражения (1). Для этого решим задачу вычисления значения суммарного сопротивления двух кольцевых резисторов (R=R1+R2), которые имеют один общий радиус:
r1=r
r2=2r
r3=3r
Из чего следует справедливость выражения (1).
Литература
[править]- Анализ и расчёт интегральных схем. Часть 1. Основы расчета интегральых схем и линейные схемы / Под ред. Д. Линна, Ч. Мейера, Д. Гамельтона и др.. — М.: Мир, 1969. — С. 173, 273. — 370 с.